10月18日，资本邦了解到，苏州东微半导体股份有限公司(下称“东微半导”)回复科创板二轮问询。

图片来源：上交所官网

在科创板二轮问询中，上交所主要就东微半导主要产品市场空间、经销收入、研发费用、高新技术企业资质和员工等八方面的问题。

关于主要产品市场空间，上交所要求发行人说明：(1)结合高压超级结MOSFET和中低压MOSFET产品市场规模的差距和增幅情况，以及目前发行人的产品结构，说明市场规模差距较大的原因，发行人选择高压超级结作为主要产品的合理性及其发展空间;(2)结合报告期内综合毛利率低于同行业可比公司毛利率、上游晶圆价格变动影响的传导及时性低等情况，说明发行人主要产品的市场竞争力如何体现，并对经营规模小、议价能力低、价格传导及时性低、单一产品收入占比高等事项进行重大事项提示;(3)发行人MOSFET产品的下游应用领域情况，在主要应用领域的市场竞争格局，以及与同行业主要厂商相比公司竞争优劣势的具体体现，并在招股说明书中作出针对性补充披露。

东微半导回复称，MOSFET器件根据电压平台分类的规格较多，具体可分为12V/20V/25V/30V/40V/60V/80V/100V/120V/150V/200V/250V/300V/400V/500V/550V/600V/650V/700V/800V//900V等。其中，一般将高压与中低压的分界线定义为400V电压平台，即耐压达到400V及以上的为高压MOSFET，以下则为中低压MOSFET。

因此，从电压平台的规格数量来看，耐压平台400V以下的中低压MOSFET涵盖的电压平台数量较高压MOSFET更多，对应的市场规模相对较大。根据Omdia，2020年，全球高压MOSFET的市场规模为18.0亿美元，中低压MOSFET的市场规模为52.4亿美元;中国高压MOSFET的市场规模为8.0亿美元，中低压MOSFET的市场规模为24.1亿美元。

高压超级结MOSFET产品的制造工艺更为复杂，主要包括多次外延和深沟槽外延两种。在多次外延制造方法中，即使采用最为精简的方法，也需要五次以上的外延、光刻、注入的循环工艺流程。当采用当前市面上最新一代的更低比导通电阻Rsp的超级结MOSFET多次外延制造技术时，比如英飞凌的P7系列超级结MOSFET，则需要10次以上的外延、光刻、注入工序，而且外延的浓度偏差和光刻的对偏都会对超级结MOSFET的制造良率造成不良影响，进一步提高了制造工艺的复杂度。当采用深沟槽外延工艺生产超级结MOSFET时，比如600V及650V高压超级结MOSFET，外延厚度需要达到40微米以上，沟槽深度达到36微米以上。

相较而言，中低压MOSFET中制造难度较大的屏蔽栅MOSFET的外延厚度通常在15微米以内，沟槽深度通常不超过10微米。综上，高压超级结MOSFET产品的制造工艺更为复杂，使得其产出相对不足，从而导致其市场规模较中低压MOSFET小。

根据器件结构进一步分类，高压MOSFET一般可分为高压超级结MOSFET以及高压平面MOSFET，其中超级结结构的性能更优，是更高性能的功率器件品类。根据Omdia数据，2020年全球高压超级结MOSFET的市场规模约为9.4亿美元，占全球高压MOSFET的比例为52.35%;经估算2020年中国高压超级结MOSFET的市场规模约为4.2亿美元。尽管目前高压超级结MOSFET的市场规模与中低压MOSFET相比较小，但是高压超级结MOSFET在包括新能源汽车、新能源汽车充电桩以及光伏等新兴下游应用领域中逐渐普及，随着该等应用领域的不断发展与涌现，预计市场需求未来会持续稳定增长。

综上所述，由于覆盖电压平台数量以及制造工艺复杂程度的差异，高压超级结MOSFET的市场规模相比中低压MOSFET较小。此外，高压超级结MOSFET为高压MOSFET中的高性能细分领域，与中低压MOSFET不属于完全可比的类别，因此市场规模相对较小。随着全球高压超级结MOSFET的制造工艺逐渐成熟，以及高压超级结MOSFET在新兴应用领域中的逐渐普及，其市场规模将逐步增长。

与中低压MOSFET相比，尽管高压超级结MOSFET的市场规模相对较小，但是此市场具有产品性能与技术要求高、进入门槛高、下游客户稳定、国内厂商布局相对较少以及更具市场发展潜力等特点。因此，发行人综合考虑了市场发展机遇、自身的技术以及产品优势以及行业发展趋势等因素，选择了以高压超级结MOSFET领域作为市场切入点。

从市场竞争来看，无论是在全球还是中国市场，高压超级结MOSFET的市场份额仍主要由国际厂商占据，国内功率器件厂商在此领域的布局相较国际厂商较为落后，国产化程度较低。在国产化替代的行业背景下，高压超级结MOSFET市场是更具发展机遇的细分领域，发行人选择该细分市场能够发挥技术优势，抓住国产化替代机遇，以更快地建立优质的客户基础，取得市场份额，实现高速发展。

根据Omdia数据，2020年全球高压超级结MOSFET的市场规模预计为9.4亿美元，并将于2024年达到10.0亿美元;2020年度，公司在全球高压超级结MOSFET市场的市场份额为3.8%。由于公司占全球高压超级结MOSFET市场份额较小，鉴于公司高压超级结产品的技术优势以及市场竞争力，公司的高压超级结MOSFET产品仍有很大的发展空间。

此外，国内的高压超级结MOSFET市场也主要由国外厂商占据，整体上国内厂商在高压超级结MOSFET市场的份额相对较小，例如新洁能在2019年中国高压超级结MOSFET的市场占有率约为3.8%，龙腾半导体在2020年中国高压超级结MOSFET的市场占有率约为1.6%。因此，公司可以充分受益于国际贸易摩擦大背景下的半导体国产化替代机遇，在未来获取更大的市场份额。

除了市场占有率以外，国内在高端分立器件的研发实力和生产工艺等方面较国外厂家仍存在较大的差距，该部分产品主要由美国、欧洲和日本的企业所主导。

由于国外公司在核心技术、关键元器件、关键设备、品牌和销售渠道等方面保持领先，国内销售的高端半导体器件仍然主要依赖海外进口。因此，公司在高性能功率器件核心技术方面的技术优势将是实现国产化替代的关键驱动力之一。

在高性能MOSFET产品的市场份额主要由国外厂商占据，以及国内厂商在关键技术等方面相对滞后的背景下，公司基于自身的技术优势可以充分受益于国际贸易摩擦带来的国产化替代机遇，未来有望不断提高市场占有率，在与国外厂商的竞争中逐步形成自身的竞争优势。

高压超级结MOSFET功率器件可广泛运用于各类终端领域，包括新能源汽车相关领域、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源，以及PC电源、适配器、TV电源板、手机快速充电器等消费电子应用领域。其中，新能源汽车、通信电源、大功率照明以及光伏逆变器等下游新兴市场正处于高速发展期。

以新能源汽车领域为例，随着汽车电动化、智能化、网联化的变动趋势，新能源汽车对高性能功率半导体器件的需求量不断提高，汽车电子将迎来结构性变革，推动车规级功率器件快速发展。2020年11月国务院印发《新能源汽车产业发展规划(2021-2035年)》，提出2025年新能源汽车新车销售量达到汽车新车销售总量的20%左右，年总销量将达到500-600万辆。

以2025年年总销量600万辆测算，未来5年新能源汽车新车销售复合年均增长率为34%左右。同时，根据StrategyAnalytics分析，传统燃料汽车中功率半导体芯片占汽车芯片的价值比例仅为21.0%，而纯电动汽车中功率半导体芯片占汽车芯片的价值比例高达55%。

与传统燃料汽车不同，每台电动车都配备了需要多颗大电流规格高压超级结MOSFET的车载充电机来对电池进行充电和放电，为高性能超级结MOSFET功率器件带来了历史性发展机遇。

在新能源汽车充电桩方面，2015年至2019年，全国公共充电桩的数量由5.8万个增长至51.6万个，复合年增长率达到了72.9%。预计随着新能源汽车的渗透率不断提高，未来新能源汽车充电桩的功率器件市场也将持续保持高速增长。

而在公共直流充电桩所需的工作功率和电流要求下，其采用的功率器件以高压MOSFET为主。高压超级结MOSFET因其更低的导通损耗和开关损耗、高可靠性、高功率密度成为主流的充电桩功率器件应用产品，具体应用于充电桩的功率因数校正(PowerFactorCorrection，“PFC”)、直流-直流变换器以及辅助电源模块等。高压超级结MOSFET的应用将充分受益于充电桩的快速建设。

在光伏应用方面，随着光伏市场的政策引导与驱动，我国光伏发电装机容量的增长与集中式电站、分布式光伏电站的规模扩张可直接推动光伏逆变器需求，其行业规模有望于2025年达到206亿元，2020至2025年复合增长率达到24.8%。

高压超级结MOSFET在高性能光伏微逆变器中被广泛应用，预计也将充分受益于光伏市场的快速增长。

上述新兴市场领域均对高性能MOSFET产品具有很强的需求，而作为高性能功率器件的代表性产品，高压超级结MOSFET具有能耗低、速度快、功率密度高等特性及优势，能够满足上述终端对性能的要求。因此，高压超级结MOSFET在上述新兴终端领域中有着结构性机遇，能充分受益于上述应用领域的快速增长，拥有较大的发展空间。

除高压超级结MOSFET的发展机遇，基于在高压超级结领域积累的技术优势，公司可进一步拓展延伸至包括中低压MOSFET产品在内的其他细分领域。

根据Omdia数据，2020年全球MOSFET分立器件的市场规模为73.9亿美元，2020年中国MOSFET分立器件的市场规模为29.5亿美元。从产品设计以及技术能力来看，公司未来能够将产品拓展至MOSFET下属的各个细分领域，进而受益于MOSFET整体市场的发展机遇。

关于研发费用，上交所要求发行人说明：(1)按照研发项目的人员配备、材料投入等说明研发费用的具体内容，研发费用率偏低的原因，研发费用投入是否与发行人的技术先进性匹配;(2)2021年上半年研发费用上涨较快、较去年全年持平的原因;(3)在研发费用率逐年下降、研发费用金额不高、与可比公司人员数量相比较少的情况下，人均收入高于同行业可比公司的合理性。

东微半导回复称，发行人各研发项目中材料投入的具体内容均主要为晶圆、掩膜和MOSFET成品。报告期各期，发行人材料投入中晶圆、掩膜和MOSFET成品的占比均超过90%。

报告期内，随着发行人经营规模的扩大、研发工作需求的增加，发行人研发投料不断增加，与研发工作和技术发展需求具有匹配性。

由于研发过程的各个阶段均产生研发投入，且不同阶段并非均匀投入，如从物料投入来看，产品版图设计、样品晶圆试产、小批量晶圆制造以及小规模试产的物料投入相对较高，因此，晶圆在研数量与研发投入发生规模也并非简单的线性对应关系。

从研发人员看，发行人的研发部由产品研发工程部、应用技术部组成，其中产品研发工程部由产品开发团队和工程测试团队组成。

产品研发工程部的工作贯穿于研发流程的整个环节，是研发工作的牵头部门，其中产品开发团队的工作主要集中在前中期的晶圆设计开发、样品晶圆试产、接收工程测试团队反馈的晶圆性能测试分析、小批量晶圆制造各项测试指标的反馈、依照测试结果调整晶圆设计或工艺参数等;工程测试团队的工作主要集中在中后期的各项晶圆参数测试与可靠性验证，并将异常指标反馈至产品开发团队。

应用技术部的工作集中在后期的产品送样及验证上，包括产品送样需求信息确认、产品送样后的测试进展跟踪、对客户应用测试进行技术支持、针对不同电路应用场景研究功率器件的参数匹配等。应用技术部在与客户进行交流的过程中，也会收集并整理相关的产品研发及调整的需求信息并反馈至产品研发工程部。

由于不同研发部门涉及的工作和精力投入有所侧重，各类型研发人员的投入情况与研发工作的匹配分析具体如下：

从研发环节上看，产品开发团队的工作主要集中在项目设计开发、样品晶圆试产、晶圆性能测试分析、小批量晶圆制造等研发环节，所有在研晶圆的设计开发、测试反馈、参数调试等均需其参与。因此用在研晶圆数量与产品开发团队人数进行匹配较具合理性。报告期内，发行人产品开发团队分别为6人、7人、9人和10人，在研晶圆数量分别为121种、191种、248种和250种，产品开发团队的人数随在研晶圆数量的增加而增加。从工作能力和经验上看，当新工艺平台的研发任务数量和难度逐渐增加时，需要匹配更多有能力和经验的产品开发人员。

报告期内，随着研发项目启动和进行数量的增加，发行人产品开发团队人员持续增加，具有合理性。

由于工程测试团队和应用技术部的工作主要集中在测试与验证、小规模试产、客户送样等研发环节，其工作主要专注通过小批量晶圆制造环节前后的一系列工作，因此用通过小批量晶圆制造环节的晶圆数量与工程测试团队和应用技术部人数进行匹配较具合理性。报告期内，发行人不断有晶圆通过小批量晶圆制造环节，报告期各期通过小批量晶圆制造环节的晶圆数量分别为34种、21种、51种和22种。通过该环节后的晶圆需要相应的工程测试团队和应用技术部支持推进后续工作，报告期内，发行人工程测试团队和应用技术部合计分别为4人(另有3名劳务派遣人员支持应用技术部工作)、11人、15人和20人。总体上看，工程测试团队和应用技术部的人数随通过该环节的在研晶圆数量的增加而增加。

发行人的研发费用主要为员工薪酬及物料消耗，根据上述分析，发行人的研发费用整体上与在研晶圆数量的增长趋势保持同步。与同为Fabless模式的同行业公司新洁能相比，发行人研发费用的构成(剔除股份支付后)整体较为可比。

报告期内，发行人及新洁能的研发费用均主要由职工薪酬、物料消耗及检测加工费构成，发行人上述科目的合计占比(剔除股份支付后)分别为85.18%、86.09%、92.60%和88.25%，新洁能上述科目的合计占比分别为87.03%、92.56%、89.66%和69.94%。2021年1-6月，新洁能上述科目合计占比较低，主要系新洁能当期发生委托研发费用，剔除委托研发费用后，2021年1-6月新洁能上述科目合计占比为93.78%，与发行人较为可比。

从技术角度而言，相较于集成电路逻辑芯片，功率器件并非特别依赖和追求先进制程，产品竞争力主要由器件结构设计方面的技术创新能力决定。当一个创新的器件结构被成功开发后，可以被应用至相关的功率芯片平台中，并通过改变芯片中并联器件的数量来得到不同规格的芯片。因此，相较于逻辑芯片，功率器件产品在研发阶段投片试产的成本相对较低，对应的研发费用较低。

此外，发行人研发人员规模较小，报告期各期发行人的研发人员数量分别为10人、18人、24人以及31人。因此，发行人计入研发费用的员工薪酬与发行人的研发人员规模也相匹配。发行人的核心技术集中于功率器件领域，尤其是高压超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET以及IGBT等产品。在发展过程中，发行人集中优势研发资源，研发出了多种具有技术先进性以及市场竞争力的功率器件结构，并以工业级应用领域为主要市场拓展方向。随着发行人业务规模的迅速扩大，发行人拟拓展其在功率器件领域的研发广度，包括新一代IGBT分立器件、高密度IGBT模块以及第三代半导体材料功率器件等产品。预计未来发行人的研发费用将随着发行人业务规模的扩大、产品线的丰富以及研发项目的多样化而不断提升。

综上所述，发行人的研发费用投入与发行人的技术先进性相匹配。（墨羽）

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